การวิเคราะห์วัสดุด้วยเทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอน
แบบส่องกราดและจุลวิเคราะห์ด้วยเอ็กซ์เรย์
และอิเล็กตรอนแบคสแกตเตอร์ดิฟแฟรกชัน
(Materials Characterization with Scanning Electron Microscopy,
Electron Backscatter Diffraction and X-Ray Microanalysis Techniques)
จัดโดย
ศูนย์เทคโนโลยีโลหะและวัสดุแห่งชาติ (เอ็มเทค)
สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี
ภาคบรรยาย วันที่ 23 สิงหาคม 2560
ภาคบรรยายและปฏิบัติ รุ่นที่1 วันที่ 23-25 สิงหาคม 2560 *ขออภัย รุ่นที่1 ที่นั่งเต็มแล้ว โปรดสมัครรุ่น2 แทน*
ภาคบรรยายและปฏิบัติ รุ่นที่2 วันที่ 23, 29-30 สิงหาคม 2560
สถานที่ ห้องM120 อาคารเอ็มเทค อุทยานวิทยาศาสตร์ประเทศไทย จ.ปทุมธานี คลิกดู แผนที่
หลักการและเหตุผล
การทำงานวิจัยและพัฒนาวัสดุ หรือการพัฒนาผลิตภัณฑ์และชิ้นส่วนต่างๆ ตลอดจนการวิเคราะห์ความเสียหายหรือตำหนิของชิ้นงานทั้งจากกระบวนการผลิตและการใช้งาน ล้วนต้องอาศัยองค์ความรู้ด้านวัสดุศาสตร์และวัสดุวิศวกรรมเพื่ออธิบายสมบัติหรืออธิบายพฤติกรรมของวัสดุ และเป็นที่เข้าใจว่าองค์ประกอบและลักษณะทางโครงสร้างทั้งในระดับมหาภาค (Macro) และในระดับจุลภาค (Micro) ของวัสดุแต่ละชนิดมีอิทธิพลโดยตรงต่อสมบัติและสมรรถนะของวัสดุนั้นๆ การศึกษาโครงสร้างของวัสดุจึงขาดเสียมิได้สำหรับผู้ที่ทำงานด้านนี้ โดยเฉพาะอย่างยิ่งโครงสร้างจุลภาคของวัสดุเพราะสมบัติของวัสดุส่วนใหญ่ขึ้นกับโครงสร้างในระดับนี้ ปัจจุบันมีเทคนิคการวิเคราะห์วัสดุหลายเทคนิคที่ใช้ในการวิเคราะห์ ในจำนวนเทคนิคต่างๆ มากมายนั้น เทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกรวด (Scanning Electron Microscopy (SEM)) นับว่าเป็นเทคนิคที่สำคัญเทคนิคหนึ่ง และเป็นเทคนิคที่นิยมใช้อย่างกว้างขวางทั้งในหน่วยงานวิจัยทั้งภาครัฐและเอกชน ภาคการศึกษา หน่วยงานของรัฐ และภาคเอกชนที่ดำเนินธุรกิจเกี่ยวกับอุตสาหกรรมการผลิตชิ้นส่วนต่างๆ ทั้งชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ชิ้นส่วนยานยนต์ อุปกรณ์ทางการแพทย์ สิ่งทอ และบรรจุภัณฑ์ เป็นต้น เนื่องจากเป็นเทคนิคที่ให้ข้อมูลพื้นฐานของโครงสร้างจุลภาคของวัสดุที่ชัดเจน จากการมองเห็นภาพจากการถ่ายภาพที่กำลังขยายสูง รวมไปถึงสามารถวิเคราะห์องค์ประกอบธาตุในบริเวณที่เราสนใจด้วยเทคนิคจุลวิเคราะห์ด้วยเอกซ์เรย์ (X-Ray (EDS&SXES) Microanalysis) ที่ติดตั้งกับเครื่อง SEM และเพื่อเพิ่มสักยภาพในการวิเคราะห์วัสดุในปัจจุบันมีการใช้เทคนิคอิเล็กตรอนแบคสแกตเตอร์ดิฟแฟรกชัน (Electron Backscatter Diffraction (EBSD) มาช่วยการวิเคราะห์วัสดุ ซึ่งเป็นเทคนิคที่ใช้กันมากในการวิเคราะห์เชิงลึกของวัสดุ ซึ่งเทคนิคนี้มีความสามารถในจำแนกโครงสร้างผลึกของวัสดุตลอดจนวิเคราะห์ทิศทางการจัดเรียงตัวของผลึกในบริเวณที่สนใจ ซึ่งติดตั้งกับกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกรวดเช่นเดียวกัน ซึ่งจะเป็นประโยชน์มากสำหรับงานวิจัยที่จะเกิดขึ้นในอนาคต
วัตถุประสงค์
การอบรมครั้งนี้จึงมีวัตถุประสงค์เพื่ออธิบายหลักการทำงานของเครื่อง SEM, EDS และ EBSD ทฤษฎีและปฏิบัติที่เกี่ยวข้องในการเกิดสัญญาณอิเล็กตรอนและรังสีเอ็กซ์ และการนำสัญญาณอิเล็กตรอนมาใช้ในการถ่ายภาพและการวิเคราะห์โครงสร้างจุลภาคของวัสดุด้วย EBSD และวิเคราะห์องค์ประกอบทางเคมีในบริเวณที่สนใจจากรังสีเอ็กซ์ที่เกิดขึ้น นอกจากนี้จะอธิบายทฤษฎีและปฏิบัติที่เกี่ยวข้องกับการเตรียมชิ้นงานตัวอย่างสำหรับการวิเคราะห์วัสดุด้วยเทคนิค SEM, EDS และ EBSD ซึ่งจะเป็นประโยชน์อย่างยิ่งสำหรับผู้ที่ใช้งาน และผู้ที่ทำหน้าที่ตรวจสอบหรือวิเคราะห์วัสดุ ตลอดจนผู้ที่นำผลวิเคราะห์ไปใช้
โปรแกรมการฝึกอบรม
– ภาคทฤษฎี รับสมัครจำนวนจำกัด 40 ท่าน อบรมวันที่ 23 ส.ค. 60 เนื้อหาหลักประกอบด้วย
– SEM, EDS, SXES and EBSD (Theory)
– ทฤษฎีและปฏิบัติ รับสมัคร 2 รุ่น จำกัดรุ่นละ 10 ท่านเท่านั้น
รุ่นที 1 อบรมวันที่ 23-25 สค. 60 รวม 3 วัน * ขออภัยรุ่นที่1 ที่นั่งเต็มแล้ว โปรดสมัครรุ่นที่ 2 แทน*
รุ่นที่ 2 อบรมวันที่ 23, 29-30 ส.ค. 60 รวม 3 วัน เนื้อหาหลักประกอบด้วย
– SEM, EDS, SXES and EBSD (Theory)
– Sample Preparation for SEM, EDS and EBSD Techniques(Theory and Operation)
– SEM, EDS, EXES and EBSD (Operation)
กลุ่มเป้าหมาย
1. ภาคอุตสาหกรรมที่ใช้เทคนิค SEM/EDS/EBSD ในการวิเคราะห์วัสดุ
2. นักวิจัย คณาจารย์จากสถาบันการศึกษาและหน่วยงานภาคการวิจัย
3. นักศึกษาระดับบัณฑิตศึกษา
วิทยากร
1. ดร. อัศสฎาวุฒิ ปาทาคำ
นักวิจัย ห้องปฏิบัติการเทคโนโลยีกระบวนการผลิตวัสดุผง หน่วยวิจัยโลหะ เอ็มเทค
มีประสบการณ์ในด้านการใช้เทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดมามากกว่า 10 ปี
2. คุณ วิยภรณ์ กรองทอง
ห้องปฏิบัติการวิเคราะห์เชิงฟิสิกส์ หน่วยวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะของวัสดุ เอ็มเทค
3. คุณ วารุณี บวรเกียรติแก้ว
ห้องปฏิบัติการวิเคราะห์เชิงฟิสิกส์ หน่วยวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะของวัสดุ เอ็มเทค
และ ทีมงานจากห้องปฏิบัติการจุลทรรศน์ เอ็มเทค
กำหนดการและหัวข้อการอบรม
23 สิงหาคม 2560 – SEM, EDS and EBSD (ภาคบรรยาย)
วิทยากร: คุณอัศสฎาวุฒิ ปาทาคำ
23/08/2017 | Time | Details |
ห้อง M120 | 9.00-10.30 | · Introduction Scanning Electron Microscopy · Theory of Scanning Electron Microscopy Ø Vacuum System Ø Electron Gun Ø Electron Lens |
10.30-10.45 | Break | |
10.45-12.00 | · Theory of Scanning Electron Microscopy Ø Electron Beam Interaction with Specimen Ø Detector of SEM § Secondary Electron Detector § Backscatter Electron Detector Ø Environmental SEM · Ø Questions and Answers | |
12.00-13.00 | Lunch | |
13.00-14.00 | Theory Energy Dispersive Spectrometry Ø Characteristic X-Ray Ø X-Ray Detector § EDS Detector § SXES Detector Ø Quantitative and Qualitative Analysis Ø X-Ray Mapping and Line Scan Ø Applications of SEM andEDS Technique Ø Applications of SXES Technique | |
14.00-14.15 | Break | |
14.15-17.00 | · Theory of Electron Backscatter Diffraction (EBSD) · Application of Electron Backscatter Diffraction (EBSD) Ø EBSD Point Analysis Ø Orientation Imaging Microscopy (OIM) · Sample Preparation for EBSD Technique · Questions and Answers |
รุ่นที่ 1: 24 สิงหาคม 2560 / รุ่นที่2: 29 สิงหาคม 2560 – Sample Preparation for EBSD Techniques (ภาคปฏิบัติ)
วิทยากร: คุณวารุณี บวรเกียรติแก้ว และคุณวิยภรณ์ กรองทอง
24/08/2017 และ 29/08/2017 | Time | Details |
ห้อง M120 และ ห้อง M132 | 9.00-10.30 | · Principle of Sample Preparation Ø Cutting Ø Mounting Ø Grinding Ø Polishing Ø Etching |
10.30-10.45 | Break | |
10.45-12.00 | · Principle Sample Preparation for SEM and EBSD Techniques | |
12.00-13.00 | Lunch | |
13.00-14.30 | · Workshop of Sample Preparation for SEM and EBSD Techniques | |
14.30-14.45 | Break | |
14.45-16.00 | · Workshop of Sample Preparation for SEM and EBSD Techniques | |
16.00-16.30 | · Questions and Answers |
รุ่นที่ 1: 25 สิงหาคม 2560 / รุ่นที่2: 30 สิงหาคม 2560 – EBSD (ภาคปฏิบัติ)
วิทยากร: คุณวิยภรณ์ กรองทอง และ คุณอัศสฎาวุฒิ ปาทาคำ
25/08/2017 และ 30/08/2017 | Time | Details |
หน้าเครื่อง JSM 7800F หน้าเครื่อง S3400N | 9.00-10.30 | · Scanning Electron Microscopy Setting Ø Electron Gun Ø Electron Lens Ø Vacuum · Operation of Energy Dispersive Spectrometry (EDS) |
10.30-10.45 | Break | |
10.45-12.00 | · Application of Energy Dispersive Spectrometry (EDS) Ø EDS Point Analysis Ø EDS Mapping Ø EDS Line-scan · Applications of SXES Technique (SXES) · Questions and Answers | |
12.00-13.00 | Lunch | |
13.00-14.00 | · Operation of Electron Backscatter Diffraction (EBSD) Ø Exposure Ø Gain Ø Contrast & brightness Ø EBSD Point Analysis Ø Orientation Imaging Microscopy (OIM) | |
14.00-14.15 | Break | |
14.15-17.00 | · Application of Electron Backscatter Diffraction (EBSD) · Questions and Answers |
ค่าลงทะเบียน
ราคาปกติ
ภาคบรรยาย 1 วัน ราคา 3,000 บาท/ท่าน
ภาคบรรยายและปฏิบัติ รวม 3 วัน ราคา 7,000 บาท/ท่าน
ราคาพิเศษ หากท่านชำระค่าอบรมภายในวันที่ 1 ส.ค. 60
ภาคบรรยาย 1 วัน ลดเหลือ 2,500 บาท/ท่าน
ภาคบรรยายและปฏิบัติ รวม 3 วัน ลดเหลือ 6,500 บาท/ท่าน
**โปรดชำระค่าลงทะเบียนภายในวันที่ 16 ส.ค. 60**
**รับสมัครจำนวน 50 ท่าน เท่านั้น**
หมายเหตุ
• อัตราค่าลงทะเบียนรวมค่าอาหารว่าง อาหารกลางวัน เอกสารประกอบการอบรม และภาษีมูลค่าเพิ่ม 7%
• ศูนย์เทคโนโลยีโลหะและวัสดุแห่งชาติ เป็นหน่วยงานของรัฐ จึงไม่อยู่ในเกณฑ์ที่ต้องหักภาษี 3%
การลงทะเบียน
• ลงทะเบียนผ่านเว็บไซต์ (สามารถเลือกสมัคร ภาคบรรยาย หรือ ภาคบรรยายและปฏิบัติ ได้ในระบบลงทะเบียน)
การชำระค่าลงทะเบียน
• เงินสด / เช็ค สั่งจ่าย ศูนย์เทคโนโลยีโลหะและวัสดุแห่งชาติ
• โอนเงินเข้าบัญชี ศูนย์เทคโนโลยีโลหะและวัสดุแห่งชาติ ธนาคารกรุงเทพ จำกัด (มหาชน) ประเภทออมทรัพย์
สาขาย่อยอุทยานวิทยาศาสตร์ เลขที่บัญชี 080-0-000846
(กรุณาส่งหลักฐานการโอนเงินพร้อมระบุชื่อ, หน่วยงาน และหลักสูตรที่สมัครมาทางโทรสาร 0 2564 6369 หรือ อีเมล ponlathw@mtec.or.th )
• บัตรเครดิต โดยทำรายการผ่านหน้าเว็บไซต์ลงทะเบียน (เลือกวิธีชำระเป็นบัตรเครดิต)
สมัครและสอบถามรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่
งานพัฒนากำลังคนด้านวัสดุศาสตร์ (คุณพลธร)
ศูนย์เทคโนโลยีโลหะและวัสดุแห่งชาติ
โทรศัพท์ 0 2564 6500 ต่อ 4677 โทรสาร 0 2564 6369
E-mail: ponlathw@mtec.or.th
