เทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบสแกนนิง หรือ SEM (Scanning Electron Microscopy) ศึกษาวัสดุโดยใช้การกวาดลำอิเล็กตรอนบนผิววัสดุนั้น แล้วนำสัญญาณที่ได้ เช่น สัญญาณอิเล็กตรอนทุติยภูมิและสัญญาณอิเล็กตรอนกระเจิงกลับไปสร้างเป็นภาพ
ภาพที่ได้จากกล้อง SEM เป็นภาพที่กําลังขยายสูง และสามารถแยกแยะรายละเอียดของภาพได้ถึง 100 นาโนเมตร และมีลักษณะเสมือน 3 มิติที่มีระยะชัดลึกสูง ทำให้สามารถระบุลักษณะของพื้นผิวของชิ้นงานได้อย่างชัดเจน
a) กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนรุ่นนี้ใช้แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอนแบบฟิลด์อิมิชชัน (field emission electron gun) ให้กำลังแยกแยะเชิงระยะทางได้ประมาณ 0.8 nm สามารถขยายภาพได้สูงถึง 1,000,000 เท่า (ความคมชัดขึ้นกับชนิดของวัสดุและสภาวะใช้งาน)
กล้องนี้มีอุปกรณ์ตรวจจับสัญญาณอิเล็กตรอนแบบทุติยภูมิ (secondary electron) อุปกรณ์ตรวจจับสัญญาณอิเล็กตรอนแบบกระเจิงกลับ (backscattered electron) อุปกรณ์วิเคราะห์สัญญาณเอกซเรย์ระดับพลังงานปานกลาง (ไม่เกิน 20kV) หรืออุปกรณ์วิเคราะห์ธาตุเชิงพลังงาน (Energy Dispersive Spectrometer (EDS)) และอุปกรณ์วิเคราะห์สัญญาณเอ็กซเรย์ระดับพลังงานต่ำ (ไม่เกิน 5kV) (Soft X-Ray Emission Spectrometer (SXES))
b) กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนรุ่นนี้ใช้แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอนแบบเทอร์มิออนิก (thermionic emission electron gun) สามารถให้กำลังแยกแยะเชิงระยะทางได้ประมาณ 3.5 nm ที่ 30 kV สามารถขยายภาพได้สูงถึง 300,000 เท่า (ความคมชัดขึ้นกับชนิดของวัสดุและสภาวะใช้งาน)
กล้องนี้มีอุปกรณ์ตรวจวัดอิเล็กตรอนแบบทุติยภูมิ (secondary electron) และยังต่อกับอุปกรณ์วิเคราะห์สัญญาณเอกซเรย์ระดับพลังงานปานกลาง (ไม่เกิน 20kV) หรืออุปกรณ์วิเคราะห์ธาตุเชิงพลังงาน (Energy Dispersive Spectrometer (EDS)) ของบริษัท Oxford รุ่น INCA 300
c) กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนรุ่นนี้ใช้แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอนแบบเทอร์มิออนิก (thermionic emission electron gun) ได้ทั้งในสภาวะสุญญากาศสูงและต่ำ สามารถให้กำลังแยกแยะเชิงระยะทางได้ประมาณ 3 nm ที่สภาวะสุญญากาศสูง และ 4 nm ที่สภาวะสุญญากาศต่ำ และสามารถขยายภาพได้ถึง 300,000 เท่า (ความคมชัดขึ้นกับชนิดของวัสดุและสภาวะใช้งาน)
กล้องนี้มีอุปกรณ์ตรวจจับสัญญาณอิเล็กตรอนแบบทุติยภูมิ (secondary electron) อุปกรณ์ตรวจจับสัญญาณอิเล็กตรอนแบบกระเจิงกลับ (backscattered electron) อุปกรณ์วิเคราะห์สัญญาณเอกซเรย์ระดับพลังงานปานกลาง (ไม่เกิน 20kV) หรืออุปกรณ์วิเคราะห์ธาตุเชิงพลังงาน (Energy Dispersive Spectrometer (EDS)) และอุปกรณ์วิเคราะห์เฟสโครงสร้าง (EBSD) ของ บริษัท EDAX รุ่น TEAM (full option) และ TSL/OIM ตามลำดับ
• ศึกษาลักษณะพื้นผิว ขนาด รูปร่างของวัสดุ
• ศึกษาโครงสร้างจุลภาค ขอบเกรน และการกระจายของเฟส
• วิเคราะห์ลักษณะชั้นเคลือบ
• ศึกษาลักษณะที่เปลี่ยนไปของวัสดุเมื่อผ่านการใช้งาน
• วิเคราะห์ส่วนผสมทางเคมี
• ศึกษาการจัดเรียงตัวของผลึก
• ศึกษาความเข้ากันได้ของเนื้อวัสดุ
1. ติดต่อสอบถามเจ้าหน้าที่เพื่อประเมินการทดสอบ การเตรียมตัวอย่าง รวมทั้งค่าบริการทดสอบ
2. กรอกแบบฟอร์มขอรับบริการ ส่งตัวอย่าง ชำระค่าบริการ
งานบริการลูกค้า โทร. 0 2564 6500 ต่อ 4109-4111
ศูนย์เทคโนโลยีโลหะและวัสดุแห่งชาติ 114 ถนนพหลโยธิน ต.คลองหนึ่ง อ. คลองหลวง จ. ปทุมธานี 12120
